纪念浮闸效应发现50周年　交大3/27举办记忆体技术研讨会

“浮闸风华再现，记忆恒久远！”今(2017)年欣逢国立交通大学荣誉讲座教授暨中央研究院院士施敏博士发现“浮闸(floating gate)记忆体效应”五十周年。为庆祝这项重大成就，交通大学电机学院与电子工程学系将于3月27日(星期一)在交大电子资讯中心国际会议厅举行“国际非挥发*记忆体研讨会”，吸引包括台积电、联电、旺宏、华邦、力旺、美光、工研院、国研院与多所大学学者报名参与。

“浮闸(floating gate)记忆体效应”系后续多种非挥发*记忆体技术的奠基石，包括早期的EPROM与现在热门的快闪记忆体技术，奠定今日非挥发*半导体记忆体产业的基础并开启了数位电子时代。“国际非挥发*记忆体研讨会”特地邀请来自世界执记忆体领域牛耳的七位大师，就记忆体相关技术的发展历史、现况与未来趋势进行精辟讲解与分析。包含交通大学荣誉讲座教授施敏博士、意大利意法半导体Paolo Cappelletti博士、英国圣安德鲁斯大学James F. Scott教授、瑞典哥德堡大学Johan ?kerman教授、美国史丹佛大学H.-S. Philip Wong教授、德国亚琛工业大学Rainer Waser教授及国内旺宏公司卢志远董事长。

21世纪是大数据时代，几乎所有新兴的应用都对大量数据的储存提出殷切的需求。如何开发新一代更大储存密度、更快储存与读取速度、更省电与可靠的非挥发*记忆体技术成为各电子强权国家的产业竞争首要之一。

交通大学电子系向来是国内相关技术研究最主要的学术机构，系内多位教授从事各种先进与新兴的记忆体技术多年，培养的学生也成为国内产业界的主力来源。本系杰出的研究成果享誉国际，深获各位国际知名大师的肯定并在第一时间答允受邀来台参与此盛会。希冀透过此研讨会的举行，促进专家学者与国内产学研人员进行交流，进一步提升非挥发*记忆体技术研究的动能。

(图由交大提供／交通大学电机学院与电子工程学系将于3月27日(星期一)在交大电子资讯中心国际会议厅举行“国际非挥发*记忆体研讨会”，吸引包括台积电、联电、旺宏、华邦、力旺、美光、工研院、国研院与多所大学学者报名参与。)