力旺矽智财导入华邦25纳米DRAM制程平台

力旺 (3529-TW) 今 (25) 日宣布，一次可编程 (OTP) 记忆体矽智财 NeoFuse ，导入华邦电 (2344-TW) 25 纳米 DRAM 制程平台，即将进入量产阶段，有助于客户在车用、工业、 5G 通讯等新的市场应用取得先机。

 NeoFuse 矽智财可使 DRAM 产品在封装前的晶片测试及封装后的产品测试，均可进行修补，达到多次修补 (Multi-Repair) 的目的，与传统雷射调校 (Laser Trimming) 相比，不仅降低调校成本与时间，并可使制造测试流程更加便利。尤其是在晶片封装后仍可进行修补，大为提升多晶片封装 (MCP) 产品的生产良率。

可相容于 DRAM 制程平台的 NeoFuse 技术提供优于一般工作范围的操作电压区间，有利于客户在产品设计上具备弹性并有效降低功耗。此外， NeoFuse 的高编程良率，只需一次编程便可将资料成功写入，可大幅降低操作的复杂性和测试成本。

力旺业务发展中心副总何明洲表示，力旺的矽智财解决方案，已成功地导入各类型的晶片应用。力旺与记忆体供应商华邦电子共同合作，将 NeoFuse 导入 25 纳米 DRAM 制程，可使整体产品测试更加灵活，更有效率的提供符合高阶客户与应用需求的产品。

力旺与华邦的合作，对双方来说均是重要的里程碑，除了现阶段在 25 纳米 DRAM 制程的合作外，双方更进一步进行 NeoFuse 在二代 DRAM 制程的开发计划，预计不久后即可完成布建。