大和证券：下修三星记忆体ASP 看好晶圆代工发展

大和昨 (2 日) 公布最新研究报告显示，受到记忆体需求递延与高库存影响，三星 2H19～20 期间的纯益将面临压力。不过认为明年第二季三星记忆体事业的纯益会出现反弹，并指出 5G、逻辑 IC，及晶圆代工是未来新的发展机会。

DRAM
由于数据中心的需求疲弱，因此大和下修今年第二季与第三季 DRAM 平均产品单价 (ASP)，分别季减 20% 及 13%，之前则预期季减 17% 及 6%。

不过大和预估全球记忆体需求将在今年第三季出现改善，主要来自季节性需求与新 CPU 发表，但就价格与纯益回温的时间点来看，则会落在明年上半年。

NAND
NAND 第二季需求已逐渐回温，但由于高库存因素，所以产品价格会持续下滑至第三季。整体而言，NAND 供需环境在下半年会有所好转。

面板
因今年第二季 LCD 价格优于之前预期，因此大和预估三星 LCD 事业的营业损失会较第一季会有所缩小。

至于 白领ED 业务方面，受到中国 白领ED 需求上升，带动三星硬式 白领ED 面板产能利用率在第二季升至 90%，第一季则为 70%～80%。此外，软性 白领ED 面板也已开始供货给重要客户，为下半年发表的旗舰机种做好准备。

资讯与消费性电子
大和预估三星第二季智能手机销量将升至 7700 万支，第一季则是销售 7200 万支。销售上升的主因有二：第一，因中阶智能新机 Galaxy A 系列销售佳；第二，美国制裁华为带动需求。

不过因旗舰机 Galaxy S10 系列销售迟缓，大和预期第二季该系列产品 ASP 将比第一季下滑 14%，同时也拉低智能手机事业第二季营收表现。

至于网络事业会持续成长，主要受惠于 5G 通讯设备需求增加所带动。

晶圆代工
6 月 1 日，AMD 与三星达成战略协议，就低功耗、高效能的绘图晶片进行技术授权合作。同时，大和预期 AMD 的高性能运算 (HPC) 晶片将使用三星 5 纳米 EUV 制程。此外，三星将利用自身领先的 EUV 技术优势，持续扩大 7 纳米及 5 纳米客户群。

大和认为三星 3 纳米 Gate-All-Around 技术能为其晶圆代工业务带来优势。相较于最新的 7 纳米，3 纳米技术可缩小 45% 晶片面积、减少 50% 耗能，及提升运算 35% 效能。根据三星官方宣告，3 纳米制程将在 2020 年发展完成，2021 年量产。