DRAM、NAND Flash库存水位仍高 供需反转可能性低

研调机构集邦科技旗下记忆体储存研究 (DRAMeXchange) 指出，近来包括东芝停电，及日本政府对韩国祭出 3 种生产半导体、智能手机与面板所需的关键材料限令等事件，使下游模组厂开始提高报价，但目前 DRAM 与 NAND Flash 库存水位仍高，短期结构性供需反转可能性低。

日韩贸易战爆发，业界盛传记忆体价格将反转，不过，据 DRAMeXchange 分析指出，因 DRAM 价格已连续 3 季快速下滑，下游模组厂库存水位普遍偏低，确实有观察到，部分模组厂利用日韩贸易争端，调涨报价或表示将停产，惟目前现货市场占整体 DRAM 市场仅不到 1 成，中长期产业供需态势，仍需关注占比超过 9 成的合约市场。

从需求面来看，不论零售端的 PC、智能手机，或企业用伺服器与资料中心建置，整体终端需求仍十分疲弱。然而，反观供给端，目前 DRAM 供应商库存水位仍普遍高于 3 个月，导致 PC、伺服器记忆体及行动式记忆体合约价，第 3 季初仍旧持续走跌。TrendForce 认为，DRAM 市况目前出现结构性供需反转的可能性低。

NAND Flash 市场方面，行情受到日本材料出口审查趋严，及东芝停电事件的影响。由于 Wafer 市场报价已偏低，预计 7 月起各供应商报价将浮现涨势。不过，供应商普遍备有 2 至 3 个月的库存水位，第一时间多数模组厂不会立即接受涨价，后续则需视市场及供应端库存状况，决定交易价是否上涨。

至于对 OEM 的各类 SSD、eMMC/UFS 产品报价方面，目前虽有部分供应商暂停出货，但依供需状况分析，并考量 OEM 端的库存水位，TrendForce 认为，虽然 NAND Flash 价格短期将出现上扬，但长期仍有跌价压力。