〈旺宏法说〉19纳米SLC NAND本季可望出货 挹注营运动能

记忆体大厂旺宏 (2337-TW) 今 (25) 日举行线上法说，总经理卢志远表示，19 纳米 SLC NAND Flash 目前已送样至客户端认证，进展顺利，本季可望开始量产，并逐步贡献营收；目前也专注于 192 层 3D NAND Flash 研发，预计2021 年量产。

制程技术方面，旺宏计划将 NAND Flash 的12 英寸制程技术，由 36 纳米全面提升至 19 纳米，19 纳米 SLC NAND Flash 目前已至客户端送样认证，进展顺利，预计第 3 季起量产，并贡献营收。

NOR Flash 制程技术部分，也将从 75纳米推进至 55纳米，并持续以高密度、高品质为目标前进，同时积极耕耘车用市场，未来预期在车用领域将持续成长，市占率有望突破 5 成。

卢志远指出，旺宏作为半导体产业的领衔者，技术创新脚步不能停歇，今年资本支出约140 亿元，便是用于技术升级及 192 层 3D NAND Flash 研发，3D NAND 预计于 2021 年，以 TLC 规格进入市场，有助提升公司竞争力。

由于近来记忆体大厂相继缩减资本支出，之所以在此时持续投资脚步，卢志远强调，资本支出对于半导体产业是必要的，虽然折旧会增加，但眼光应放远，着眼于先进技术能为公司带来多少产值，而非当下少量的损失，否则在适者生存的环境下，难逃面临淘汰的命运。

此外，卢志远也说，目前旺宏产能调配上，可根据客户需求及价格因素，弹性调整ROM与Flash 产能比重。