3D NAND增速 产出比重上看2成

储存型快闪记忆体(NAND Flash)供应商争相加速3D NAND Flash发展，市调机构集邦科技预估，今年3D NAND Flash产出比重可望自去年的6%，大幅攀高至20%水准。

三星为全球3D NAND Flash发展最快速的厂商，在各大个人电脑代工厂中已获得不错的市占率；目前第3代3D NAND Flash将完成产品测试阶段，可望在今年下半年随着新款笔记型电脑铺货而开始量产。

东芝则在今年第1季开始小量生产3D NAND Flash，集邦科技指出，因应5年后3D NAND Flash需求，东芝计划第4季动工在现有厂区的周边扩建，预计2018年上半年加入3D NAND Flash生产行列。

晟碟(SanDisk)也开始进行3D NAND Flash初期小量试产，M14厂第2阶段将从今年下半年加入生产行列，满足3D NAND Flash市场需求。

美光已将3D NAND Flash送样模组厂测试，集邦科技表示，美光未来将以随身碟及消费*固态硬盘产品为主；美光自有品牌的3D NAND Flash固态硬盘预计今年第3季初送将各个人电脑代工厂认证。

随着各NAND Flash供应纷纷加速3D NAND Flash发展，集邦科技预期，今年3D NAND Flash产出比重可望攀高至20%水准，将有助固态硬盘加速普及。

中国大陆武汉新芯预计下周动土兴建新记忆体晶圆厂，集邦科技表示，这座新厂最快将在2018年初开始生产3D NAND Flash，将代表中国大陆发展记忆体产业迈入新里程碑。