创新研发技术再升级　环球晶圆展现台湾半导体产业的精湛技术实力

环球晶圆执行的“低阻值矽基板之氮化镓磊晶工程与射频元件制程开发计划”，已于今年五月中通过科学工业园区研发精进产学合作计划，并于日前与科技部新竹科学工业园区管理局完成签约。希冀经由与清华大学的产学合作，成功开发低阻值矽基板之氮化镓磊晶工程与射频元件制程，以因应未来智慧生活的时代来临并引领工业4.0的全面导入，展现台湾半导体产业的精湛技术实力并成功行销全球。

环球晶圆与国立清华大学电子工程研究所徐硕鸿教授共同研究合作“低阻值矽基板之氮化镓磊晶工程与射频元件制程开发计划”，计划执行期间自105年5月1日至106年4月30日。环球晶圆今年1月以此计划向科技部新竹科学工业园区管理局申请105年度科学工业园区研发精进产学合作计划，今年5月业经审查通过，并于6月8日与新竹科学园区管局办理签约事宜。环球晶圆为此计划的申请机构，清华大学为此计划的学研机构。

新世代氮化镓Radio Frequency(RF)元件，主要是成长在半绝缘碳化矽 (GaN on SiC) ，其优点是高电子迁移率，但缺点是SiC基板非常昂贵。借由此计划，环球晶圆将开发于CZ低阻值基板上成长GaN，并应用在RF元件。环球晶圆表示，此为技术上的一大创新与突破，将对RF元件会有破坏式的创新。

环球晶圆的“低阻值矽基板之氮化镓磊晶工程与射频元件制程开发计划”利用环球晶圆特有双掺强化基板技术与使用新颖氮化镓磊晶成长技术，使用低阻值高强度矽基板取代传统高成本SiC 或FZ高阻值矽基板，并搭配清华大学徐硕鸿电子工程研究所教授的先进半导体制程技术，预期其结果将超越使用成长于高阻值矽基板上之高频特*水准。

由于高功率与高频率之优点，GaN RF未来的市场需求将会持续成长。环球晶圆“低阻值矽基板之氮化镓磊晶工程与射频元件制程开发计划”使用低阻值高强度矽基板上成长氮化镓磊晶，此技术于RF元件上具有低成本与高单价之竞争优势，进而提升环球晶圆的产品竞争力。

此外，经由此计划所开发之技术，将可提升高电子移动率电晶体 (HEMT) 产业链之竞争力!因应宽能隙材料的崛起，除了逐渐明朗的Power HEMT外，射频(RF)元件也备受关注。随着科技的发展，工业4.0、大数据时代、智慧电网、智慧家庭以及电动车等民生需求，氮化镓具有良好特*的优势竞争力是高频元件所不可或缺的。

以Total Cost of Ownership (TCO) 及高频特*来看，GaN on Si 使用于RF上，是切入民生需求最好的选择。环球晶圆为首家发展氮化镓射频元件成长于低阻值矽基板之技术。对此结构的技术特征，环球晶圆持续朝具发展潜力的市场进行专利布局!