TopsilN中子照射晶圆技术国际研讨会　探讨矽晶圆创新应用

环球晶圆丹麦子公司Topsil GlobalWafers A/S于9/16日在哥本哈根举办中子照射晶圆(Neutron Tranxxutation Doped；简称NTD)国际研讨会，成功圆满落幕。此研讨会系介绍探讨NTD矽晶片最新的创新和应用，吸引来自美洲、欧洲、亚洲以及大洋洲等世界各地的与会者远道而来参加。会中也确认此材料大尺寸化的趋势，200mm的产能需求将会上升，甚至300mm未来也有可能被考虑。

对于半导体来说，掺磷、硼等杂质于矽材料是最重要的技术。在掺杂技术中，又以中子照射(NTD)为最高端的技术。功率半导体是建构在NTD材料上，它赋予功率半导体对各项技术的推动，例如：现代高速电气列车、电力传输等。看好人口不断增加、人口迁移市区等趋势，将会增加能源的消耗并有大量运输的需要，所以研讨会的众多与会者对于NTD材料应用于消费*产品的前景皆持乐观肯定的态度。

Topsil GlobalWafers A/S(前身为Topsil Semiconductor Materials A/S)自1970年代以来，至今都是全球NTD材料首屈一指的领导者。NTD矽材料研讨会成功串连矽生产者、功率元件制造商、设备厂商等NTD矽晶圆的产业链，启动NTD产品的发展能与消费者的最终需求趋于一致。Topsil GlobalWafers A/S是第一家将NTD启动进入至商业市场的公司，Topsil GlobalWafers A/S已经显示可以改善200mm NTD矽晶圆的均匀*，将有助于客户去开发更先进的组件并提高客户的生产良率，更进一步改善了高功率应用的效率。

Topsil GlobalWafers A/S是全球最主要的FZ(Float Zone)技术开发者以及FZ晶圆制造公司，也是全球领先的中子照射超纯矽晶圆供应商。今年七月初正式并入环球晶圆集团体系并开始挹注营收。环球晶圆因纳入FZ产品，成为全球少数能完整供应CZ及FZ全产品的世界级领导厂商，促使环球晶圆集团于全球半导体的产业竞争力再提升。